測(cè) 試 原 理

通過軟件程序控制，讓x射線發(fā)生路產(chǎn)生適合的x射線去激發(fā)測(cè)試薄膜材料中的si 或者其他元素，被x 射線激發(fā)后變?yōu)椴环€(wěn)定態(tài),高能層的電子會(huì)躍遷到空穴井同時(shí)釋放特定能量被探測(cè)器接收,因每個(gè)元素都有自已特定的能量特征線,通過探測(cè)器的識(shí)別,計(jì)算機(jī)軟件的計(jì)算,即可準(zhǔn)確識(shí)別該元素,并計(jì)算出含量?！H器采用了大面積的品體硅漂移探測(cè)器,分辨率能夠達(dá)到 125eV,能分辨 AK鋁)元素和si(硅)元素。

技 術(shù) 特 點(diǎn)

測(cè)試采用x射線熒光光譜原理,測(cè)試過程無(wú)需耗材

·光管垂直照射,硅元素性能得到更強(qiáng)激發(fā)

測(cè)試下限好,可準(zhǔn)確測(cè)量 0.01ghn' 的涂硅量

·采用大面積硅漂移探測(cè)器,測(cè)試結(jié)果極其準(zhǔn)確

配置高清液品顯示器,測(cè)試過程和測(cè)試結(jié)果一目了然

設(shè)備集成多個(gè) u 接口,數(shù)據(jù)和通訊傳輸滿足多種要求

空氣光路內(nèi)部環(huán)境得到顯著優(yōu)化,大氣環(huán)境一樣可以直接測(cè)試

一鍵測(cè)試/操作簡(jiǎn)單智能,測(cè)試過程使用時(shí)間更短,結(jié)果更準(zhǔn)確

快速采用新的模型算法,大大提高了輕元素的測(cè)量穩(wěn)定性